ＳｉＣ／ＳｉＣ的微波焊接

   　ＳｉＣ／ＳｉＣ的微波焊接

　　　　Ｒ.Ｓilberglitt等用单模和多模微波腔体焊接了直径为0.952ｃｍ，高0.635ｃｍ的两块ＳｉＣ圆片，微波焊接温度１４５０｀Ｃ，时间５ｍｉｎ一１０ｍｉｎ， 微波功率２５０Ｗ。所采用的方法有如下几种：

        用Ｓｉ粉作为２块ＳｉＣ圆片的粘接剂，经微波焊接后两块ＳｉＣ之间的界面层厚度为５０uｍ.

 　　　把Ｓｉ粉与油混合形成稀浆涂在ＳｉＣ圆片上，再用微波进行焊接，焊接界面层厚度为１０uｍ.

 　　　用等离子体技术喷涂一层Ｓｉ在其中一块ＳｉＣ圆片上，然后把另一块ＳｉＣ圆片放置在喷涂有Ｓｉ层的ＳｉＣ圆片上，用微波进行焊接，焊接后界面层的厚度不超过５uｍ.

 　　　用２０碳烯作为粘结剂，把一定比例的Ｓｉ，　Ｃ和Ｔｉ粉冷压成高约ｌｍｍ的圆片，把该圆片放入２块ＳｉＣ圆片之中，用微波进行焊接，发现界面层中出现了Ｔic、ＴiO2、Ti3O5和ＳｉＣ等物质。

 　　 上述的几种方法中，焊接后接头的努氏硬度值没有较大的变化。